传感器

压力传感器采用自主研发的技术，使用独特的加工技术在SOI晶圆表面的250nm厚可加工材料层上制作出孤立的“岛”状硅敏感电阻阵列，用绝缘膜电隔离技术替代了传统的PN结电隔离技术，由于SOI芯片避免了PN隔离问题，相比于常规的扩散硅压力传感器，具有更好的稳定性，可以实现更高温度下的压力测量。

这是SOI压力传感器的核心优势所在。

在封装结构方面采用小体积充油式耐高温高压结构，充以特殊的保护液，并进行高宽温区的老化和补偿等，环境适用性强、可靠性高、稳定性好，从而保证了本产品的高性能。

这种结构国内还没有其他单位采用，因此具极高的竞争优势。

本产品国内首创，填补国内空白，不存在同类产品竞争问题。